1 Elektronen gas.- 1.1 Eingeschlossene Elektronen.- 1.2 Besetzungsstatistik.- 1.3 Eigenschaften von Boltzmanngasen.- 2 Bandstruktur von Festkörpern.- 2.1 Elektronen in Kristallgittern.- 2.2 Elektronen und Löcher in Energiebändern.- 3 Halbleiterwerkstoffe Germanium, Silizium und Galliumarsenid.- 3.1 Eigenschaften der reinen Werkstoffe.- 3.2 Legierungen.- 3.3 Polykristalline und amorphe Werkstoffe.- 4 Bändermodell von Halbleitern.- 4.1 Kenngrößen des Bändermodells.- 4.2 Besetzungsstatistik und Dotierung.- 4.3 Ladungstransport.- 5 Halbleiterübergänge.- 5.1 Thermisches Gleichgewicht an Halbleiterübergängen.- 5.2 Übergänge zwischen Halbleitern.- 5.3 Übergänge zwischen Halbleitern und Nichthalbleiternx.- 6 Überschuüladungsträger.- 6.1 Ausgleich unterschiedlicher Ladungsträgerdichten.- 6.2 Elektron-Loch-Paare.- 6.3 Kontinuitätsgleichung mit Generation und Rekombination von Ladungsträgern.- 7 Stromfluü über Barrieren.- 7.1 Energiebarrieren bei Halbleiterübergängen.- 7.2 Stromfluümodelle.- 7.3 Vergleich der Stromfluümodelle.- 8 Halbleitertechnologie.- 8.1 Herstellung von Halbleiterscheiben.- 8.2 Die Planartechnologie.- 8.3 Bonden. Gehäuse und Normen.- 9 Dioden.- 9.1 Energiebarrieren als Bauelemente.- 9.2 Schottky-Dioden.- 9.3 pn-Dioden.- 9.4 MIS-Dioden.- 9.5 Diodenanwendungen.- 10 Transistoren.- 10.1 Steuerbare Energiebarrieren und gesättigte Kennlinien.- 10.2 Bipolare Transistoren.- 10.3 Sperrschicht-Feldeffekt-Transistorenx.- 10.4 MOS-Feldeffekt-Transistoren.- 10.5 Transistoranwendungen.- 11 Thyristoren.- 11.1 Elektrische Kenndaten.- 11.2 RCTs, DIACs, TRIACs, GTOs.- 12 Integrierte Schaltungen.- 12.1 Bipolare integrierte Schaltungen.- 12.2 Integrierte MOS-Schaltungen.- 13. Wärme in Halbleiterbauelementen.- 13.1 Wärmeentstehung und -ableitung.-13.2 Sicherer Arbeitsbereich (SOAR).- 14. Rauschen.- 14.1 Rauschquellen.- 14.2 Einfluü auf die Bauelementeigenschaften.- Literatur.- A. Dimensionen und Formelzeichen.- B. Naturkonstanten.- C. Teilchenbewegung und Teilchenstrom.- Cl: Ballistische Bewegung.- C2: Teilchenstromdichte.- C3: Kontinuitätsgleichung.- C4: Raumladungsbegrenzter Strom.- D. Vierpolkoeffizienten.- E. Englische Fachausdrücke.- F. Gehäusetypen von Halbleiterbauelementen.- Stichwortverzeichnis.
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Springer Book Archives

Produktdetaljer

ISBN
9783322848505
Publisert
2012-02-19
Utgiver
Vendor
Springer-Verlag
Høyde
235 mm
Bredde
161 mm
Aldersnivå
Research, P, 06
Språk
Product language
Tysk
Format
Product format
Heftet

Forfatter
Series edited by

Biographical note

Prof. Dr. Dr. h.c. Hanno Schaumburg, TU Hamburg-Harburg